文献

J-GLOBAL ID：200902286432990578   整理番号：04A0342952

Si(111)基板上に作製した3C-SiC薄膜のダブルポジショニングバウンダリーの低減

著者 (4件)： 楠森毅 (産総研 中部セ) ,  武藤八三 (産総研 中部セ) ,  岡田昌久 (産総研 中部セ) ,  JIN P (産総研 中部セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 51st  号： 1  ページ： 425  発行年： 2004年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0342952&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  作製 ,  3C-SiC ,  薄膜