研究者
J-GLOBAL ID:200901004291303220
更新日: 2020年06月06日
楠森 毅
クスモリ タケシ | Kusumori Tsuyoshi
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所属機関・部署:
独立行政法人産業技術総合研究所 サステナブルマテリアル研究部門 環境応答機能薄膜研究グループ
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ホームページURL (1件):
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T42130603
研究分野 (4件):
無機材料、物性
, 薄膜、表面界面物性
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (10件):
逆格子マッピング
, X線回折
, 半導体素子 構造解析
, 酸化物半導体 電子デバイス
, II-VI族半導体
, 紫外線発光素子 エレクトロニクス材料
, エピ成長 発光素子
, パルス・レーザ蒸着
, 薄膜形成
, Pulsed-laser deposition
競争的資金等の研究課題 (2件):
2001 - 2004 パルスレーザ成膜法を用いたα-sic半導体薄膜の低温合成による素子化技術の開発
2001 - 2004 Development of α-sic device processing using low temperature film fabrication technique by pulsed-laser deposition
MISC (14件):
Takeshi Kusumori, Hachizo Muto, Masahisa Okada, Ping Jin. Reduction in double-positioning boundaries in 3C-SiC epitaxial films fabricated on Si (111) substrates. THIN SOLID FILMS. 2006. 513. 1-2. 307-310
H Muto, T Asano, RP Wang, T Kusumori. In situ hole doping of wide-gap semiconductors by dual-target simultaneous laser ablation: GaN and SiC epitaxial films. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2005. 87. 16. 162106-1-162106-3
T Kusumori, H Muto, ME Brito. Control of polytype formation in silicon carbide heteroepitaxial films by pulsed-laser deposition. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2004. 84. 8. 1272-1274
RP Wang, H Muto, T Kusumori. Growth of c-axis oriented GaN films on quartz by pulsed laser deposition. OPTICAL MATERIALS. 2003. 23. 1-2. 15-20
MUTO H, KAMIYA S, KUSUMORI T. Growth mechanism of α-SiC hetero-epitaxial films by PLD as studied on the laser photon, pulse-width and substrates dependence. OPTICAL MATERIALS. 2003. 23. 1-2. 43-47
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学歴 (4件):
- 1994 筑波大学 工学研究科 物質工学専攻
- 1994 筑波大学
- 1989 東京理科大学 理工学部 物理学科
- 1989 東京理科大学
学位 (1件):
工学博士 (筑波大学)
所属学会 (4件):
日本磁気学会
, 日本物理学会
, 応用物理学会
, The Japan Society of Applied Physics
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