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J-GLOBAL ID：201002283501938593   整理番号：10A0908394

低誘電率層間絶縁膜材料「ULKS Ver.3」

著者 (6件)： 平川正明 (アルバック 筑波超材料研) ,  加賀美剛 (アルバック 筑波超材料研) ,  山崎貴久 (アルバック 筑波超材料研) ,  東條一誠 (アルバック 筑波超材料研) ,  中山高博 (アルバック 筑波超材料研) ,  村上裕彦 (アルバック 筑波超材料研)
資料名： ULVAC Technical Journal  (ULVAC Technical Journal)
号： 73  ページ： 22-24  発行年： 2010年08月20日 
JST資料番号： L3761A  ISSN： 0910-6189  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： アルバックは,塗布型Low-k材料の開発を行っている。塗布液組成の改良を進め,反応ガスにAr/CF₄を用いたRIE処理での耐性を向上させたLow-k膜の作製が可能となった。今回は,このRIE耐性を向上させた「ULKS Ver.3」について報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *誘電材料 ,  *絶縁膜 ,  層間絶縁 ,  *RIE【エッチング】 ,  *誘電体薄膜 ,  誘電率 ,  化学蒸着
準シソーラス用語： *low-k膜 ,  層間絶縁膜 ,  *低誘電率絶縁材料 ,  比誘電率

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

引用文献 (9件)：

• 山川洋幸, 他: 電子材料, 2001年3月号, p. 53.
• 藤井宣年, 他: 電子材料, 2003年5月号, p. 79.
• 平川正明, 他: 電子材料, 2006年12月号別冊, p. 28.
• M. Hirakawa, T. Yamazaki, T. Nakayama and H. Murakami: Abst. of 2009 MRS Spring, D.3.3.
• T. Yamazaki, M. Hirakawa, T. Nakayama and H. Murakami: Abst. of International Interconnect Technology Conference 2009, pp. 119.

タイトルに関連する用語 (3件)： 低誘電率 ,  層間絶縁 ,  膜材料