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J-GLOBAL ID：201102204359387096   整理番号：11A0104709

空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価-SNOMによるEfficiency droop機構の解明-

Carrier diffusion dynamics in InGaN/GaN SQW studied by spatial and temporal resolved PL spectroscopy-Efficiency droop mechanism assessed by SNOM-

著者 (4件)： 橋谷享 (京大 大学院工学研究科) ,  金田昭男 (京大 大学院工学研究科) ,  船戸充 (京大 大学院工学研究科) ,  川上養一 (京大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 271(ED2010 142-157)  ページ： 33-36  発行年： 2010年11月04日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InGaN単一量子井戸構造(SQW)のefficiency droop現象を解明するために,本研究では,内部量子効率に焦点を絞り,近接場光学顕微鏡(SNOM)を用いた発光(PL)測定,時間分解PL(TRPL)測定を行った。緑色発光InGaN SQWのPL強度マッピングでは,数百nmの島状に分布する発光強度が強い領域と,その周りに分布する弱発光領域が観察された。また,強励起時に強発光領域において,キャリアがプローブ先端の開口の外側へ拡散していることが判明した。加えて,このキャリアの拡散が生じるキャリア密度において,非輻射再結合寿命の高速化や積分発光強度の飽和というefficiency droop現象が観測された。以上のことから,緑色発光InGaN SQWにおけるefficiency droop現象の主要因は,励起光強度が強くなると,強発光領域から弱発光領域へキャリアが拡散し,非輻射再結合するキャリアの割合が増加することに起因すると考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *量子井戸 ,  *キャリア寿命 ,  キャリア拡散 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  走査光学顕微鏡 ,  計測 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： *InGaN ,  SNOM ,  近接場光学顕微鏡 ,  時間分解法

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (9件)： 分解 ,  PL ,  InGaN ,  GaN ,  単一量子井戸 ,  キャリア拡散 ,  ダイナミクス ,  評価 ,  SNOM