文献
J-GLOBAL ID：201202191278305187
整理番号：12A1417082
微傾斜Si(001)基板上への空孔規則配列Ga2Se3薄膜成長
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=12A1417082©=1") }}
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{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A1417082&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}
著者 (4件)：
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資料名：
巻：
48th
号：
2
ページ：
620
発行年：
2001年03月28日
JST資料番号：
Y0054A
資料種別：
会議録 (C)
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
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