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J-GLOBAL ID：201202203007147835   整理番号：12A0460972

ノーマリーオフ非極性AlGaN/GaN HFET

Nonpolar AlGaN/GaN HFETs with a normally off operation

著者 (4件)： ISHIDA M (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  KURODA M (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UEDA T (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  TANAKA T (Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 2  ページ： 024019,1-6  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常(0001)c面を使用するGaN系トランジスタ,ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET),は分極誘起電荷の影響でノーマリーオンとなる。ノーマリーオフ動作を実現するために,著者らは非極性(11-20)a面の使用を提案している。本論文において,a面AlGaN/GaN HFETのノーマリーオフ動作を述べた。非極性(11-20)a面エピタキシャル層を(1-102)r面サファイア基板上に有機金属化学気相成長(MOCVD)により成長させた。a面AlGaN/GaNの結晶品質は高温成長AlNバッファ層の採用により改善された。異なるゲート方向のHFETを作製した。ドレイン電流はゲート方向に強く依存し,最高のドレイン電流は(0001)方向に流れる電流であった。絶縁膜として2nm厚のSiN膜を持つHFET(MIS-FET)を作製し,完全なノーマリーオフ動作を実現した。閾値は+1.3Vである。

シソーラス用語： *回路特性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  MIS構造 ,  窒化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  結晶面 ,  非極性 ,  基板
準シソーラス用語： *HFET ,  サファイア基板 ,  *ノーマリーオフ ,  *窒化ガリウムアルミニウムインジウム ,  *ヘテロ接合FET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ノーマリーオフ ,  非極性 ,  AlGaN ,  GaN ,  HFET