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J-GLOBAL ID：201502200653561546   整理番号：15A0812631

高移動度β-Ga₂O₃(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製

Schottky barrier diodes of high mobility β-Ga₂O₃ (<span style=text-decoration:overline>2</span>01) single crystals grown by edge-defined-fed growth method

著者 (5件)： 古賀優太 (佐賀大 大学院工学系研究科) ,  原田和也 (佐賀大 大学院工学系研究科) ,  花田賢志 (佐賀大 大学院工学系研究科) ,  大石敏之 (佐賀大 大学院工学系研究科) ,  嘉数誠 (佐賀大 大学院工学系研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 65(SDM2015 18-37)  ページ： 31-34  発行年： 2015年05月21日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高電子移動度を有するEFG法で成長したβ-Ga₂O₃(<span style=text-decoration:overline>2</span>01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリアダイオード(SBD)を作製した。用いた単結晶試料は300Kで153cm²/V/s,85Kで886cm²/V/sの高電子移動度を示した。実験結果を解析した結果,電子移動度は200K以上では光学フォノン散乱に制限され,100K以下ではイオン化不純物散乱に制限されていることがわかった。Niショットキー電極を用い,SBDを作製し,順方向電流密度は2.0Vで70.3A/cm²,理想因子は1.01の良好な素子特性を示した。(著者抄録)

シソーラス用語： *キャリア移動度 ,  単結晶 ,  *酸化ガリウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  散乱 ,  フォノン ,  キャリア散乱 ,  不純物 ,  因子 ,  電流密度
準シソーラス用語： *Schottkyバリアダイオード ,  フォノン散乱 ,  不純物散乱 ,  理想因子

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (25件)：

• M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Phys. Status Solidi A, vol.211, pp.21, 2014.
• H. H. Tippins, Phys. Rev. vol.140, pp.A316, 1965.
• M. Orita, H. Ohta, and M. Hirano, Appl. Phys. Lett., vol.77, p.3561, 2000.
• M. R. Lorenz, J. F. Woods, and R. J. Gambino, J. Phys, Chem. Solid vol.28, pp.403, 1967.
• D. Splith, S. Muller, F. Schmidt, H. von. Wenckstern, J. J. van Rensburg, W. E. Meyer, and M. Grundmann, Phys. Status Solidi A, vol.211, pp.40, 2014.

タイトルに関連する用語 (5件)： 高移動度 ,  β-Ga2O3 ,  単結晶 ,  ショットキーバリアダイオード ,  作製