パルスレーザ蒸着により作成したヘテロエピタキシャルβ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜上の銅Schottky接触の平均および複合障壁高さの決定

SPLITH Daniel; MUELLER Stefan; SCHMIDT Florian; VON WENCKSTERN Holger; VAN RENSBURG Johan Janse; MEYER Walter E.; GRUNDMANN Marius

文献

J-GLOBAL ID：201402256106597460 整理番号：14A0465168

パルスレーザ蒸着により作成したヘテロエピタキシャルβ-Ga₂O₃薄膜上の銅Schottky接触の平均および複合障壁高さの決定

Determination of the mean and the homogeneous barrier height of Cu Schottky contacts on heteroepitaxial β-Ga₂O₃ thin films grown by pulsed laser deposition

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資料名：
巻： 211 号： 1 ページ： 40-47 発行年： 2014年01月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

大きなバンドギャップを持つGa₂O₃薄膜は,今までに高電力素子に用いられてきたSiやSiCよりも優れた特性を示す。Ga₂O₃を使った高電力整流素子や高電力トランジスタの開発には,Schottkyダイオードのような素子の特性と最適化についての深い理解が必要である。最近,ホモエピタキシャル成長させたβ-Ga₂O₃薄膜を用いたSchottky接触について報告がなされているが,ホモエピタキシャル成長よりも簡易なヘテロエピタキシャル膜についての報告はなされていない。そこで,本論文では,すぐに利用できる基板上にパルスレーザ蒸着によりヘテロエピタキシャルβ-Ga₂O₃薄膜上に銅Schottky接触を作成し,その電気的性質を調べた。電流電圧特性測定から,接触は,7桁の大きさの整流比,1.32eVの障壁高さを示すことがわかった。少なくとも550Kの温度まで,接触は安定な動作を示した。電流輸送機構は,熱イオン放出が支配的でことがわかった。

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半導体-金属接触

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パルスレーザ蒸着により作成したヘテロエピタキシャルβ-Ga2O3薄膜上の銅Schottky接触の平均および複合障壁高さの決定

パルスレーザ蒸着により作成したヘテロエピタキシャルβ-Ga₂O₃薄膜上の銅Schottky接触の平均および複合障壁高さの決定