文献

J-GLOBAL ID：201602244048914780   整理番号：16A0931188

自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTのV_th制御を利用したE/Dインバータの特性

著者 (2件)： 大澤弘樹 (東北学院大 工) ,  原明人 (東北学院大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.15a-B10-6  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *自己整合 ,  *四端子回路 ,  *ポリシリコン ,  *薄膜トランジスタ ,  *インバータ ,  ゲート【半導体】 ,  電圧 ,  連続レーザ ,  閾値電圧
準シソーラス用語： *ダブルゲート ,  *多結晶シリコン ,  *TFT【トランジスタ】 ,  メタルゲート ,  連続波レーザ

分類 (3件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自己整合 ,  メタル ,  ダブルゲート ,  低温 ,  Si ,  TFT ,  インバータ