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J-GLOBAL ID：201602260186027942   整理番号：16A1364258

高出力アプリケーション用のTi/Al/W Ohmic構造およびWN_x Schottky金属構造を持つAuフリーGaN高電子移動度トランジスタ

Au-Free GaN High-Electron-Mobility Transistor with Ti/Al/W Ohmic and WN X Schottky Metal Structures for High-Power Applications

著者 (11件)： Hsieh Ting-En (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC) ,  Lin Yueh-Chin (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC) ,  Chu Chung-Ming (Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC) ,  Chuang Yu-Lin (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC) ,  Huang Yu-Xiang (Institute of Photonic System, National Chiao-Tung University, Tainan, Taiwan, ROC) ,  Shi Wang-Cheng (Institute of Photonic System, National Chiao-Tung University, Tainan, Taiwan, ROC) ,  Dee Chang-Fu (Institute of Microengineering and Nanoelectronics (IMEN), Universiti Kebangsaan Malaysia (UKM), Bangi, Selangor, Malaysia) ,  Majlis Burhanuddin Yeop (Institute of Microengineering and Nanoelectronics (IMEN), Universiti Kebangsaan Malaysia (UKM), Bangi, Selangor, Malaysia) ,  Lee Wei-I (Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC) ,  Chang Edward Yi (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC) ,  Chang Edward Yi (Department of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan, ROC)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 7  ページ： 3285-3289  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Ti/Al/W Ohmic構造およびWN_x Schottky金属構造を有するAuフリーAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を製作し特性評価した。このデバイスは,メタライゼーション後に平滑な表面形態を示し,優れた直流(DC)特性を示した。このデバイスはまた,高電圧ストレス下で従来のHEMTよりも優れた性能を示した。また,AuフリーAlGaN/GaN HEMTは,400°Cアニール後に安定なデバイス性能を示した。このように,Ti/Al/W OhmicおよびWN_x Schottky金属は,GaN系HEMTの製造に適用し,Au系接点を置き換えて同等のデバイス性能を有するGaN HEMTデバイスの製造コストを低減することができる。Copyright 2016 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： Ohm接触 ,  *HEMT ,  *窒化ガリウム ,  電力トランジスタ ,  *Schottky障壁 ,  アルミニウム化合物 ,  焼なまし ,  原価低減 ,  タングステン化合物 ,  窒化物
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  *GaN HEMT ,  アニール処理 ,  コスト低減 ,  窒化タングステン

著者キーワード (5件)： Schottky barrier height ,  high-voltage stress ,  WN X metal ,  Au-free ,  GaN HEMT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高出力 ,  アプリケーション ,  Ti ,  Al ,  金属構造 ,  Au ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ