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J-GLOBAL ID：201602277968964101   整理番号：16A0726478

非対称Iからのグラフェン電界効果トランジスタの内因性および外因性パラメータの抽出-V特性【Powered by NICT】

Extraction of intrinsic and extrinsic parameters of graphene field-effect transistor from its asymmetric I-V characteristic

著者 (6件)： Satou Akira (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Japan) ,  Tamamushi Gen (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Japan) ,  Sugawara Kenta (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Japan) ,  Mitsushio Junki (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Japan) ,  Ryzhii Victor (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Japan) ,  Otsuji Taiichi (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 適合モデルはDirac電圧約非対称性,ゲートとアクセス領域の間の接合部での熱電子放出とバンド間トンネリングに起因するグラフェン電界効果トランジスタ(G-FET)のI-V特性のために開発した。SiC基板上に成長させたグラフェンとSiNゲート誘電体をもつトップゲートG-FETにモデルを適用し,室温で測定したI-V特性を適合がだけでなくゲート電圧依存性固有移動度も外因性抵抗を抽出できることを実証した。抽出された固有移動度は真性相互コンダクタンスの最大値でDirac電圧以上50,000cm-2と190,000cm-2/対で最大であった。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧依存性 ,  接合部 ,  炭化ケイ素 ,  移動度 ,  熱電子放出 ,  *非対称性 ,  電圧 ,  相互コンダクタンス ,  トンネル効果 ,  *グラフェン ,  電流電圧特性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： トップゲート ,  *内因性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非対称 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  内因性 ,  パラメータ