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J-GLOBAL ID：201602279434173492   整理番号：16A0653154

FO WLPのための超厚フォトレジスト【Powered by NICT】

Ultra thick photo resist for FO-WLP

著者 (6件)： Satou Keiichi (Device Integration Materials Laboratory, Fine Electronic Materials Research Laboratories, Yokkaichi Research Center, JSR Corporation, 100, Kawajiri-cho, Mie, 510-8552, Japan) ,  Katsurayama Makoto (Device Integration Materials Laboratory, Fine Electronic Materials Research Laboratories, Yokkaichi Research Center, JSR Corporation, 100, Kawajiri-cho, Mie, 510-8552, Japan) ,  Hiro Akito (Device Integration Materials Laboratory, Fine Electronic Materials Research Laboratories, Yokkaichi Research Center, JSR Corporation, 100, Kawajiri-cho, Mie, 510-8552, Japan) ,  Sakakibara Hirokazu (Device Integration Materials Laboratory, Fine Electronic Materials Research Laboratories, Yokkaichi Research Center, JSR Corporation, 100, Kawajiri-cho, Mie, 510-8552, Japan) ,  Okamoto Kenji (Device Integration Materials Laboratory, Fine Electronic Materials Research Laboratories, Yokkaichi Research Center, JSR Corporation, 100, Kawajiri-cho, Mie, 510-8552, Japan) ,  Hasegawa Koichi (Device Integration Materials Laboratory, Fine Electronic Materials Research Laboratories, Yokkaichi Research Center, JSR Corporation, 100, Kawajiri-cho, Mie, 510-8552, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICEP  ページ： 562-566  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： すべてのモノ/インターネットのインターネットの新しい時代に向けてモバイル機器の現在のとてつもない市場の成長に伴い,半導体パッケージ構造に対する要求は,より挑戦的になりつつある。この状況では,FO WLP(ファンアウトウエハレベルパッケージング)は3次元実装地域の主要な解決策の一つとして広く議論されてきた。再分布層(RDL),はんだバンプ,銅ピラー,マイクロバンプ,良好なリソグラフィー特性,種々のめっき薬品に対する良好な化学的抵抗,および良好な剥離性を示す用のネガ型レジスト(ELPAC THBシリーズ)を開発してきた。これら技術に基づいて,それらの革新的なパッケージを作製効率的にFO WLP選手を支援するために,微細RDLと高い銅ピラーのための新しいレジストに焦点を当てた。本論文では,FO WLP用の100μm以上の高い銅ピラーを作製するための最新の超厚フォトレジストについて報告した。新しいレジストは単一回のコーティングにおける100μm厚さ,または二重被覆した200μm以上の厚さを達成し,12インチウエハに優れたコーティング性能を示した。レジストは,気泡,欠陥,しわまたは他の誤差なしで良好な被覆均一性とT TVを提供した。に加えて,新しい材料設計は超厚膜のための細かい分解能を可能にし,アスペクト比4年およびそれ以降であった。も新しいTHBレジストを用いて作製した高銅ピラーを報告した。新しい超厚レジストはFO WLPのための最良の候補であることを期待されている。新しい材料概念を検討したより詳細に考察する。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 材料設計 ,  インターネット ,  *レジスト ,  再分布 ,  厚膜 ,  分解能 ,  気泡 ,  銅 ,  *フォトレジスト ,  アスペクト比
準シソーラス用語： ネガレジスト ,  マイクロバンプ ,  はんだバンプ ,  三次元実装 ,  半導体パッケージ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 音声処理  (JE05000E) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  音響信号処理  (BB03050C)

タイトルに関連する用語 (4件)： FO ,  WLP ,  厚 ,  フォトレジスト