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J-GLOBAL ID:201702210409996051   整理番号:17A0443959

誘導結合プラズマによって支援された高周波スパッタリングによる非晶質窒化けい素薄膜の作製【Powered by NICT】

Fabrication of amorphous silicon nitride thin films by radio-frequency sputtering assisted by an inductively coupled plasma
著者 (5件):
資料名:
巻: 624  ページ: 49-53  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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アルゴン(Ar),水素(H_2)と窒素(N_2)を用いた誘導結合プラズマ(ICP)で支援された反応性RFスパッタリングによる非晶質窒化けい素(a Si_1xN_x:H)薄膜の調製を調べた。ICPアシストシステムをICPアンテナコイルに>50Wを加えることで比較的小さなプラズマ電位と電子温度を有する基板に近い高密度ICPモードプラズマを生成できた。E_04バンドギャップはアンテナコイルにRFパワーを変えることにより2.2eVから3.3eVまで制御することに成功した。ICPモードプラズマはSi_1xN_x:H膜中のSi-N結合の形成を著しく促進し,基板近くのNラジカルの効果的な生成によるものであった。ICPモードプラズマも広いバンドギャップa Si_1xN_x:H薄膜に対する高堆積速度を与えた。小N_2ガス比(<1%)は広いバンドギャップa Si_1xN_x:H膜を生成するために十分な,十分なArガス比は,Siスパッタリング維持できる。この方法は,比較的高い堆積速度を持つ広いバンドギャップa Si_1xN_x:H膜を作製するための簡単で効果的なプロセスを与えた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の薄膜 

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