InAlN薄膜における歪マッピングと転位分布のための相互相関に基づく高分解能電子後方散乱回折と電子チャネリングコントラストイメージング【Powered by NICT】

Vilalta-Clemente A.; Naresh-Kumar G.; Nouf-Allehiani M.; Gamarra P.; di Forte-Poisson M.A.; Trager-Cowan C.; Wilkinson A.J.

文献

J-GLOBAL ID：201702210622613659 整理番号：17A0451448

InAlN薄膜における歪マッピングと転位分布のための相互相関に基づく高分解能電子後方散乱回折と電子チャネリングコントラストイメージング【Powered by NICT】

Cross-correlation based high resolution electron backscatter diffraction and electron channelling contrast imaging for strain mapping and dislocation distributions in InAlN thin films

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資料名：
巻： 125 ページ： 125-135 発行年： 2017年
JST資料番号： A0316A ISSN： 1359-6454 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

定量的に歪変化と格子回転をマップ化し,密度を決定し,窒化物半導体薄膜中の転位を同定するために,走査電子顕微鏡(SEM)では,相互相関ベースの高分解能電子後方散乱回折(HR EBSD)と電子チャネリングコントラストイメージング(ECCI)の開発について述べた。これらの技術は,十nmのオーダーの空間分解能で材料の構造特性の定量的,迅速,非破壊分析を提供することができる。HR-EBSDは,それぞれ10~ 4と0.01°のオーダーの歪と回転の変化に対する感度を有し,一方,ECCIは10~10cm~ 2の転位密度まで単一転位を画像化するために用いることができる。本研究では,傾斜,ねじれ,弾性歪と二種類の基板上に成長させたInAlN/AlN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)構造における貫通転位の分布とタイプ,すなわちSiCおよびサファイアを決定するために相互相関ベースHR-EBSD法の適用を報告した。Nye Kroner解析に基づく幾何学的に必要な転位(GND)の分布を推定し,ECCIにより貫通転位(TD)の直接イメージングと比較し著者らの方法を記述した。HR-EBSDとECCI観察からの組合せデータは,純粋な刃状の密度を可能にし,混合及び純粋螺旋貫通転位は完全に分離される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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著者キーワード (5件)： , , , ,

変態組織,加工組織 , 機械的性質

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