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J-GLOBAL ID：201702211045083958   整理番号：17A0365348

正方晶タングステンブロンズ型構造をもつGdK_2Nb_5O_15エピタキシャル薄膜におけるバイポーラ抵抗スイッチングと基板効果【Powered by NICT】

Bipolar resistive switching and substrate effect in GdK₂Nb₅O₁₅ epitaxial thin films with tetragonal tungsten bronze type structure

著者 (5件)： Allouche B. (LPMC, Universite de Picardie Jules Verne, 33 rue Saint Leu, 80039 Amiens Cedex, France) ,  Gagou Y. (LPMC, Universite de Picardie Jules Verne, 33 rue Saint Leu, 80039 Amiens Cedex, France) ,  Le Marrec F. (LPMC, Universite de Picardie Jules Verne, 33 rue Saint Leu, 80039 Amiens Cedex, France) ,  Fremy M.-A. (IM2NP, Universite du Sud Toulon Var, Avenue de l’Univ., 83957 La Garde Cedex, France) ,  El Marssi M. (LPMC, Universite de Picardie Jules Verne, 33 rue Saint Leu, 80039 Amiens Cedex, France)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 112  ページ： 80-87  発行年： 2016年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正方晶タングステンブロンズ型構造薄膜で強誘電化合物GdK_2Nb_5O_15は同じ実験条件でそれぞれ,(001)SrRuO_3/SrTiO_3と(001)SrRuO_3/LSCO/MgO基板上にパルスレーザ蒸着により成長させた。構造特性は異なるモードでX線回折を用いて調べた。θ-2θ回折は単結晶SROとGKN相を示し,基板に垂直なc軸であった。ファイスキャンは両SROとGKNのエピタキシャルcube-on-cube成長を示した。逆空間マッピング(RSM)を用いて,面内格子パラメータを決定するためにGKNで行い,MgO上に成長させたGKNであるSTOに比べてより制約されたことを示した。白金(Pt)の表面電極を用いて調べた室温電気的性質。結果は,MgOおよびSTO基板上に堆積したGKN薄膜は抵抗スイッチ可能なことを示した。基板の性質は抵抗比に強く影響することが分かった:SRO/LSCO/MgO上のGKNはSRO/STO上のGKNと比較して大きなヒステリシスを示した。GKNにおける抵抗スイッチングは,基板または周波数掃引で制御できる酸素空格子点マイグレーションに起因している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 格子定数 ,  *スイッチ ,  *エピタクシー ,  酸化マグネシウム ,  パルスレーザ蒸着 ,  単結晶 ,  構造特性 ,  *正方晶系 ,  ヒステリシス ,  X線回折 ,  *タングステンブロンズ
準シソーラス用語： 逆格子空間 ,  酸素空格子点 ,  LSCO ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 強誘電体薄膜 ,  TTB構造 ,  パルスレーザ蒸着 ,  抵抗スイッチング ,  逆空間地図

分類 (1件)： 金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 正方晶 ,  タングステンブロンズ ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチング ,  基板効果