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J-GLOBAL ID:201702214330653174   整理番号:17A0759428

ミスト化学気相成長法によるサファイア基板上のバッファ層上に形成されたm面ZnO膜の改善【Powered by NICT】

Improvement of m-plane ZnO films formed on buffer layers on sapphire substrates by mist chemical vapor deposition
著者 (10件):
資料名:
巻: 214  号:ページ: ROMBUNNO.201600603  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ミスト化学蒸着(ミストCVD)により成長させたZnO膜の結晶品質はサファイア基板上にZnOバッファ層を導入することにより改善された。ZnO膜はZnCl_2水溶液中,2インチウエハ上で均一なエピタキシャル層を提供する高速回転型ミストCVDにより成長させた。ZnOバッファ層を成長させるために,多結晶の小さな結晶粒を形成する必要がある。,Zn(CH_3COO)2水溶液を用いたZnOバッファ層,約100nmの小さな粒径を成長させることを試みた。バッファ層を用いて,ZnO膜のX線ロッキング曲線の半値全幅は0.69°から0.38°に減少し,結晶品質の改善を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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半導体薄膜 
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