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J-GLOBAL ID：201702217151786466   整理番号：17A0056776

MW-ECRプラズマ反応器におけるSchottkyダイオード水素化における効果的なりんの不活性化【Powered by NICT】

Effective phosphorus deactivation in schottky diodes hydrogenated in MW-ECR plasma reactor

著者 (3件)： Belfennache D. (Laboratory of materials study faculty of the sciences University of Jijel Algeria. Jijel University BP98, Oueld Aissa, Jijel, Algeria) ,  Brihi N. (Laboratory of materials study faculty of the sciences University of Jijel, Algeria. Jijel University BP98, Oueld Aissa, Jijel, Algeria) ,  Madi D. (Physics Department Bouira University BP1000 Rue de l’Indipendance, Bouira, Algeria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICMIC  ページ： 497-502  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： C-V測定はシリコン中の活性ドーピング濃度を決定するために効率的な方法である。本研究では,水素によるりんの不活性化を支配する機構を理解する目的でそれを使用した。,を行うために水素化実験は,水素フラックス,処理時間と水素化温度のような固定パラメータのマイクロ波パワー(PMW)を用いた電子サイクロトロン共鳴システム(MW ECR)で発生した水素プラズマ中で行った。水素化はFZ単結晶シリコンを用いて作製したSchottkyダイオードの水素化後のドーピングレベルの変化から明らかなようにphosphorushydrogen(PH)結合の形成によるドーパント不活性化を明らかにした。りんの不活性化は低マイクロ波プラズマパワーと低い初期りん濃度の試料でより顕著であったこともした。一方,初期リン濃度上昇を伴う血小板増加と呼ばれるシリコン表面以下の分子水素の形成。平均血小板サイズの増加は原子状水素の密度を減少させ,tournの効果的な水素拡散を低下させた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 加工時間 ,  ドーパント ,  *水素化 ,  血小板 ,  マイクロ波 ,  *不活性化 ,  リン ,  *水素 ,  *Schottky障壁ダイオード
準シソーラス用語： 水素拡散 ,  原子状水素 ,  血小板増加症 ,  マイクロ波プラズマ ,  水素プラズマ ,  電子サイクロトロン共鳴 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の金属組織学  (WB01040Y) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Mw ,  ECRプラズマ ,  反応器 ,  Schottkyダイオード ,  水素化 ,  りん ,  不活性化