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J-GLOBAL ID：201702217522334278   整理番号：17A0885713

高k SiGeにおける優れたNBTI Iトランジスタその実験【Powered by NICT】

Superior NBTI in High- $k$ SiGe Transistors-Part I: Experimental

著者 (10件)： Waltl M. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria) ,  Rzepa G. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria) ,  Grill A. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria) ,  Goes W. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria) ,  Franco J. (imec, Leuven, Belgium) ,  Kaczer B. (imec, Leuven, Belgium) ,  Witters L. (imec, Leuven, Belgium) ,  Mitard J. (imec, Leuven, Belgium) ,  Horiguchi N. (imec, Leuven, Belgium) ,  Grasser T. (Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 5  ページ： 2092-2098  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGe量子井戸pMOSFETは最近トランジスタの性能向上のために導入されている。全く驚くべきことに,負バイアス温度不安定性(NBTI)における有意な減少もこれらのデバイスであった。さらに,Siデバイスと比較してSiGe素子の劣化の強い酸化物電界加速を報告した。これらの観察は,誘電体スタックに関してSiGeチャネルのエネルギー再編成の結果であると推測された。これらの観察は,大面積素子を行ったとして,NBTIに多くの欠陥の平均寄与のみが研究された。改良された信頼性に関与するミクロ的理由を明らかにするために,単一欠陥の詳細な研究は,ナノスケールデバイスで行った。単一電荷捕獲の詳細な画像を提供するために,異なるデバイス変異体のステップ高さ分布を測定し,単峰性と二峰性分布に従うことが分かった。この発見は,二種の導電性チャネル,SiGeと薄いSiキャップ層における1を示唆した。本論文では,まず,類似トラップ深さ分布は同定された単一欠陥の捕獲時間の同様のストレスバイアス依存性により支持されたデバイス変異体間で存在することを示した。NBTIは主に誘電体スタックとデバイス技術では決定されないと結論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 量子井戸 ,  電場 ,  深さ分布 ,  誘電体 ,  *トランジスタ ,  捕獲 ,  信頼性 ,  *ケイ素 ,  導電性 ,  チャネル ,  酸化物
準シソーラス用語： キャップ層 ,  pMOSFET ,  *NBTI ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiGe ,  NBTI ,  トランジスタ ,  実験