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J-GLOBAL ID：201702218287784853   整理番号：17A0852223

外挿による負バイアス温度不安定性の長期予測のための信頼性のある時間指数【Powered by NICT】

Reliable Time Exponents for Long Term Prediction of Negative Bias Temperature Instability by Extrapolation

著者 (13件)： Gao Rui (School of Engineering, Liverpool John Moores University, Liverpool, U.K.) ,  Manut Azrif B. (School of Engineering, Liverpool John Moores University, Liverpool, U.K.) ,  Ji Zhigang (School of Engineering, Liverpool John Moores University, Liverpool, U.K.) ,  Ma Jigang (School of Engineering, Liverpool John Moores University, Liverpool, U.K.) ,  Duan Meng (School of Engineering, Liverpool John Moores University, Liverpool, U.K.) ,  Zhang Jian Fu (School of Engineering, Liverpool John Moores University, Liverpool, U.K.) ,  Franco Jacopo (imec, Leuven, Belgium) ,  Hatta Sharifah Wan Muhamad (Department of Electrical Engineering, University of Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Zhang Wei Dong (School of Engineering, Liverpool John Moores University, Liverpool, U.K.) ,  Kaczer Ben (imec, Leuven, Belgium) ,  Vigar David (Qualcomm Technologies International Ltd., Cambridge, U.K.) ,  Linten Dimitri (imec, Leuven, Belgium) ,  Groeseneken Guido (imec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 4  ページ： 1467-1473  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pMOSFET’十年寿命の終わりに向かって負バイアス温度不安定性(NBTI)を予測するために,べき乗則ベース外挿は工業的標準法である。予測精度は,時間指数の精度に大きく依存する,初期の研究によって報告されたnは広い範囲で広がり,測定条件,十年に外挿したときに許容できない誤差を誘導し得るとともに変化した。本論文の目的は,測定条件に依存しないn抽出するかを見出すことである。成長させたままの正孔トラップからの寄与を除去した後,発生した欠陥(GD)を捕捉全体に新しい方法を提案した。この方法により抽出されたnは約0.2であり,試験した四製造プロセスのための測定条件に鈍感であった。この方法に基づくモデルは測定値とその予測を比較することにより検証した。ac動作では,モデルはGDは十年でNBTIの~90%に寄与する可能性があることを予測した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： モデル ,  *信頼性 ,  *外挿法 ,  捕獲 ,  生産工程 ,  *長期予測
準シソーラス用語： 正孔トラップ ,  予測精度 ,  べき乗則 ,  pMOSFET ,  *NBTI , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 外挿 ,  負バイアス温度不安定性 ,  長期予測 ,  指数