文献

J-GLOBAL ID：201702218553893605   整理番号：17A0702069

有機金属化学気相蒸着によりSi(110)基板上に成長させた高品質の薄いAlNエピ層【Powered by NICT】

High quality thin AlN epilayers grown on Si(110) substrates by metal-organic chemical vapor deposition

著者 (4件)： Shen Xu-Qiang (Advanced Power Electronics Research Center (ADPERC), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Umezono 1-1-1, Central 2, Tsukuba-shi, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Takahashi Tokio ,  Ide Toshihide ,  Shimizu Mitsuaki
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 8  ページ： 1204-1209  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いAlNエピ層は有機金属化学気相蒸着によりSi(110)上に成長した,意図的に従来のシード層として,高品質AlGaNエピ層成長のための基盤層としてだけでなく治療した。成長条件を制御することにより,原子ステップを持つV形ピット自由AlN表面を達成した。高分解能X線回折によるキャラクタリゼーションの結果はSi(110)上に成長させた薄いAlNエピ層の構造品質が優れていると,エピ層は文献で同じ厚さを持つSi(111)上に成長させたものよりも優れていることを示した。添加では,AlN/Si(110)上に成長させたAlGaNエピ層の構造品質は,根底にあるAlNエピ層に強く依存することを確認した。さらに,成長過程での大きな亀裂の発生を防止するためのAlN厚さを制御することが重要である。著者らの結果は,光学的(紫外領域)とパワーデバイス応用のためのSi(110)上に成長させた高品質III-窒化物の応用の可能性を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 亀裂 ,  キャラクタリゼーション ,  *蒸着 ,  *品質 ,  *窒化アルミニウム ,  成長段階 ,  窒化物 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  紫外領域 ,  成長条件 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  シード層 ,  *エピタキシャル層 ,  *高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学 ,  気相蒸着 ,  Si ,  成長 ,  高品質 ,  AlN ,  エピ層