研究者

J-GLOBAL ID：200901052717108467 更新日: 2020年08月28日

井手利英

イデトシヒデ | TOSHIHIDE IDE

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T74686447
MISC (18件)：

T Ide, M Shimizu, J Kuo, K Jeganathan, XQ Shen, H Okumura. Surface morphology of GaN layer grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on MOCVD-grown GaN template. 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS. 2003. 0. 7. 2549-2552
GaN初期成長におけるSi-ドーピング, GaNテンプレートの効果. 日本結晶学会誌. 2003. 30. 2. 24-30
XQ Shen, Y Tanizu, T Ide, H Okumura. Ultra-flat and high-quality AlN thin films on sapphire (0001) substrates grown by rf-MBE. 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS. 2003. 0. 7. 2511-2514
XQ Shen, HK Cho, T Ide, M Shimizu, H Okumura. Roles of Si irradiation during the growth interruption on GaN film qualities in plasma-assisted molecular beam epitaxy. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS. 2002. 41. 12B. L1428-L1430
T Ide, M Shimizu, S Hara, DH Cho, K Jeganathan, XQ Shen, H Okumura, T Nemoto. Improvement of DC characteristics in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors employing AlN spacer layer. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 9. 5563-5564

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