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J-GLOBAL ID：201702218860433075   整理番号：17A0362453

28nm HfO_2~ベースH KMG MOSFETのNBTI性能に及ぼすI/O酸化プロセスの影響【Powered by NICT】

Influence of I/O oxide process on the NBTI performance of 28nm HfO₂-based HKMG p-MOSFETs

著者 (4件)： Chien Wei-Ting Kary (Semiconductor Manufacturing International Corp., Shanghai, China) ,  Zhu Yueqin (Semiconductor Manufacturing International Corp., Shanghai, China) ,  Song Yongliang (Semiconductor Manufacturing International Corp., Shanghai, China) ,  Zhao Yong Atman (Semiconductor Manufacturing International Corp., Shanghai, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 220-224  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるI/O酸化プロセスを用いた28nm HfO_2~ベースのHKMG(high-k誘電体を含む金属ゲート)I/O厚い酸化物p-MOSFETのNBTI(負バイアス温度不安定性)性能を報告した。その結果,ISSG(その場蒸気発生)プロセスからのNBTI性能は炉Gox1プロセスからのものよりも優れていることを示した。PDA(蒸着後アニール)プロセスに及ぼすNBTI依存性を研究し,PDAはNBTI(負バイアス温度不安定性を大幅に改善できることを示した。NBTIに対するDPN(分割プラズマ窒化)の影響を調べるDPNプロセスからのNBTI性能は同じEOT(電気酸化物厚さ)を持つ素子のための非DPNプロセスからのものよりはるかに良好であった。実験に基づいて,拡張されたNBTIモデル,DPNプロセス式中の窒素濃度を組み込む方法を提案した。この拡張がいかにしてより良いプロセス電気と信頼性要求を満たすためにDPN量とEOTを制御するプロセス調整に明確な方向を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  酸化物 ,  イオン窒化 ,  酸化 ,  デカップリング ,  アノード酸化 ,  誘電体 ,  蒸着 ,  *MOSFET ,  焼なまし
準シソーラス用語： 窒素濃度 ,  メタルゲート ,  *NBTI , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 負バイアス温度不安定性(NBTI) ,  高k金属ゲート(HKMG) ,  その場スチーム生成(ISSG) ,  減結合プラズマ窒化(DPN) ,  ポスト蒸着焼なまし(PDA)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： MOSFET ,  NBTI ,  酸化プロセス