Ni-Znフェライト厚膜の電気抵抗率に対するSn<sup>4+</sup>の影響

DALAWAI S. P.; SHINDE T. J.; GADKARI A. B.; TARWAL N. L.; TARWAL N. L.; JANG J. H.; VASAMBEKAR P. N.

文献

J-GLOBAL ID：201702220041844356 整理番号：17A0465642

Ni-Znフェライト厚膜の電気抵抗率に対するSn⁴⁺の影響

Influence of Sn⁴⁺ on Structural and DC Electrical Resistivity of Ni-Zn Ferrite Thick Films

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資料名：
巻： 46 号： 3 ページ： 1427-1438 発行年： 2017年03月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

今日,フェライトナノ粒子は,ガスセンサー,湿度センサー,薬物送達,電気スイッチング,触媒などの多様な用途がある。この研究の主な目的は,Sn⁴⁺置換Ni-Znフェライト厚膜の構造的および電気的特性を研究することである。シュウ酸塩共沈法によりナノサイズのNi-Zn-Snフェライト粉末を容易に調製し,ガラス基板上に厚膜をスクリーン印刷技術で堆積した。XRD研究は,Sn⁴⁺(y=0.2)の二次相としてSnO₂を有する面心立方晶スピネル構造の形成を確認した。より高い周波数の吸収帯(vi)は,Ni²⁺含有量の増加とともに増加し,Ni²⁺含有量の増加に伴って結合長さの減少に起因することが観察された。FTFの粒子サイズは,Ni²⁺含有量の増加とともに増加することが見出された。EDAXスペクトルは,フェライトの必要な元素比率の形成を確認した。Ni-Zn-SnFTFの直流抵抗率は半導体的挙動を示した。直流抵抗率および活性化エネルギーは,Ni²⁺含有量がx=0.6まで増加するにつれて減少することが見出された。

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金属の結晶構造 , 金属の電子伝導一般

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Ni-Znフェライト厚膜の電気抵抗率に対するSn4+の影響

Ni-Znフェライト厚膜の電気抵抗率に対するSn⁴⁺の影響