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J-GLOBAL ID：201702221990374371   整理番号：17A0759236

高分子系原子スイッチにおける高度に再現性のあると調節されたコンダクタンス量子化【Powered by NICT】

Highly Reproducible and Regulated Conductance Quantization in a Polymer-Based Atomic Switch

著者 (7件)： Krishnan Karthik (International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Krishnan Karthik (Council of Scientific and Industrial Research, Central Electrochemical Research Institute, Karaikudi, 630-003, India) ,  Muruganathan Manoharan (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1211, Japan) ,  Tsuruoka Tohru (International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Mizuta Hiroshi (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1211, Japan) ,  Mizuta Hiroshi (Nanoelectronics and Nanotechnologies Research Group, Faculty of Physical Sciences and Engineering, University of Southampton, Highfield, Southampton, SO17 1BJ, UK) ,  Aono Masakazu (International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 10  ページ： ROMBUNNO.201605104  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化還元メモリにおけるコンダクタンス量子化と抵抗スイッチング現象の詳細な理解は,原子スケールメモリ素子を実現するための,に基づくことができる適切な設計原理を見つけるために重要である。,量子化されたコンダクタンス状態の出現と高分子系原子スイッチにおける抵抗スイッチング特性との相関を,電流-電圧測定の組み合わせと第一原理密度汎関数理論(DFT)シミュレーションを用いて調べた。単原子点接触と分数コンダクタンス変化の整数および半整数倍数を含む種々のコンダクタンス状態はバイアス電圧の掃引下でAg/polyethylene oxide/Ptデバイスで観察された。原子点接触のよく制御された形成を示唆し,電圧掃引速度と掃引電圧範囲を調整することによって高度に制御可能で再現可能な量子化コンダクタンス挙動を実証した。デバイスはまた,高コンダクタンス状態の長い保持時間を示した。DFTシミュレーションは,幾何学的最適化原子点接触構造の透過固有状態とコンダクタンス状態,それらの抵抗スイッチング挙動を説明したもに原子配置と構造安定性の影響を明らかにした。これらの重合体に基づく原子スイッチで観測された良く定義された多重量子化コンダクタンス状態は,新しいマルチレベルメモリデバイスの開発に対して有望であることを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 第一原理 ,  記憶装置 ,  *コンダクタンス ,  密度汎関数法 ,  *高分子 ,  電流 ,  *量子化 ,  シミュレーション ,  電圧 ,  酸化還元反応 ,  点接触 ,  *再現性 ,  重合体
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  *原子スイッチ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 原子点接触 ,  原子スイッチ ,  密度汎関数理論シミュレーション ,  ポリマ ,  量子化されたコンダクタンス

分類 (2件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子系 ,  原子スイッチ ,  再現性 ,  調節 ,  コンダクタンス ,  量子化