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J-GLOBAL ID：201702225502548389   整理番号：17A0550945

多接合太陽電池に向けたSi基板上格子整合系GaAsPN p-i-n接合の結晶成長

著者 (8件)： 佐藤健人 (豊橋技科大 大学院) ,  山根啓輔 (豊橋技科大 大学院) ,  後藤聖也 (豊橋技科大 大学院) ,  高橋賢二郎 (豊橋技科大 大学院) ,  関口寛人 (豊橋技科大 大学院) ,  岡田浩 (豊橋技科大 大学院) ,  岡田浩 (豊橋技科大 EIIRIS) ,  若原昭浩 (豊橋技科大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.17a-B5-1  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  リン化物 ,  窒化ガリウム ,  *化合物半導体 ,  *太陽電池 ,  素子構造 ,  *化学組成 ,  ウエハ【IC】 ,  *RHEED ,  X線回折 ,  *多接合型化合物半導体太陽電池 ,  p-i-n素子構造 ,  ヒ化リン化ガリウム ,  III-V半導体 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： GaAsP ,  GaN ,  III-V族化合物半導体 ,  ケイ素基板

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多接合太陽電池 ,  Si基板 ,  格子整合 ,  結晶成長