- 2016 - 2018 窒化ガリウム中ランタノイドによる高性能な単一光子源・量子ビットの実現
- 2015 - 2018 高専教育への青色LED製作実験の導入
- 2018 - 集積化マイクロLEDアレイ技術の高解像度プロジェクタへの展開
- 2014 - 2017 実践的教育を可能とする教育スキルアーカイブの構築とICTによる共有
- 2013 - 2016 Siチップにモノリシック搭載可能なIII-V-N/Siレーザ実現の基盤研究
- 2010 - 2012 希土類添加窒化物半導体を用いた集積型微小光源の開発とナノシステムへの応用
- 2008 - 2012 III-N-V半導体における原子緩和に関する研究
- 2008 - 2009 窒素クラスタ位置制御によるSiと格子整合する直接遷移III-V-N規則混晶の創成
- 2005 - 2007 III-N-RE混晶半導体/Siを用いた光電子融合デバイス・システムの開発
- 2003 - 2005 無転位III-V-N混晶-シリコン融合システムのデバイスプロセス
- 2003 - 2004 ナノカーボンの表面ナノコーティングと太陽電池への適用に対する基礎検討
- 2002 - 2004 化合物半導体-シリコン無転位一体化層の高品質化と光デバイスへの応用
- 2002 - 2003 II-VI-N_2多元窒化物単結晶の成長と基礎物性解明
- 2001 - 2003 エピタキシャルアルミナを用いたヘテロエピタキシャル成長用基板とデバイス応用
- 2000 - 2001 カーボンナノチューブの電界効果およびトランジスタへの応用
- 1999 - 2001 InAlGaN混晶の相分離現象の解明と格子整合系窒化物量子構造実現の研究
- 1998 - 2000 不規則積層量子ドットの新光量子物性の探索
- 1999 - 希土類添加III-V族窒化物半導体の光電物性評価と光デバイス応用に関する研究
- 1999 - Investigation of Rare-Earth doped III-Nitride Alloy and its Application for Optoelectronic devices
- 1996 - 1997 不規則構造半導体の新光量子物性の研究
- 1995 - 1997 自己形成不規則量子構造発光デバイスの研究
- 1995 - 1997 マイクロマシ-ニングによる高性能化・光電子集積機能デバイスの試作研究
- 1996 - 1996 自己形成量子ドット構造の形成機構の解明と制御
- 1995 - 1995 AlGaP系短周期超格子の発光機構解明と発光効率向上に関する研究
- 1995 - 1995 量子効果半導体ヘテロエピタキシャル成長機構の共同研究
- 1994 - 1995 不規則量子細線半導体の実現に関する研究
- 1994 - 1994 AlP/GaP超格子中に導入した窒素等電子準位の解明と発光効率向上に関する研究
- 1993 - 1993 アルキルV族原料を用いた有機金属気相成長の表面反応過程
- 1992 - 1993 不規則超格子の研究
- 1992 - 1992 結晶成長の原子レベル制御
- 1991 - 1991 結晶成長の原子レベル制御
- 1989 - 1991 結晶異方性半導体の実現に関する研究
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