潜在的応用のためのZnO膜上にPLDにより堆積したBi_0 7Dy_0 3FeO_3薄膜の室温電気的性質【Powered by NICT】

Bhatia Deepak; Roy Sandipta; Nawaz S.; Meena R.S.; Palkar V.R.

文献

J-GLOBAL ID：201702226466058227 整理番号：17A0318067

潜在的応用のためのZnO膜上にPLDにより堆積したBi_0 7Dy_0 3FeO_3薄膜の室温電気的性質【Powered by NICT】

Room temperature electrical properties of Bi_0.7Dy_0.3FeO₃ thin films deposited by PLD on ZnO films for potential applications

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巻： 163 ページ： 60-66 発行年： 2016年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

ZnO/Si膜とその潜在的応用にパルスレーザ蒸着(PLD)により堆積したBi_0 7Dy_0 3FeO_3(BDFO)薄膜の電気的特性を本論文において議論した。Cr Au/BDFO/ZnO/p-Si構造のMIS(金属/絶縁体/半導体)キャパシタを作製し,それらの界面トラップと電気的性質を調べた。界面トラップ状態に関する情報を得るために,周波数に依存するキャパシタンスおよびコンダクタンス測定の系統的研究を行った。素子の周波数依存性解析は10kHz 500kHzの周波数範囲で行った。酸化物の容量の分散はこの周波数範囲内で10年当り2%であったことが観察された。掃引電圧は 3からVに変えると記憶開口は300から850mVに増加することが分かった。C-V特性におけるこの顕著なヒステリシス特性はBDFO/ZnO膜のわずかな強誘電挙動,メモリ素子に必須であるに起因すると考えられる。のトラップ状態(D)密度は約9×10~11cm~ 2eV~ 1が判明した10kHz~500kHzの周波数を増加させ,酸化物層の厚さはこの実験で300nmことが観察された。装置(190)の計算した誘電定数はBDFO(>30)のそれよりはるかに高かった。デバイスの誘電損失正接は初期電圧と共に増加し次に減少したが,ac伝導度は反対の傾向を示した。マルチフェロイックBDFOは有望な材料強誘電性と強磁性の間の良好な結合と室温で理想的な挙動を示した。ZnO圧電とBDFO膜の統合は,MEMS応用における増強された出力を持つ発電機としてメモリデバイスに直接使用することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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固体デバイス製造技術一般

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