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J-GLOBAL ID：201702227509164252   整理番号：17A0145868

PSpiceモデルに基づく830nmレーザダイオードの劣化解析【Powered by NICT】

Degradation analysis of 830nm laser diodes based on PSpice model

著者 (4件)： Wang Guishan (Science and Technology on Integrated Logistics Support Laboratory) ,  Qiu Jing (Science and Technology on Integrated Logistics Support Laboratory) ,  Yang Peng (Science and Technology on Integrated Logistics Support Laboratory) ,  Liu Guanjun (Science and Technology on Integrated Logistics Support Laboratory)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： PHM (Chengdu)  ページ： 1-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザ通信,医学と軍事の分野で広く使用されているレーザダイオード(LD)の劣化機構に関する研究は,複雑で困難されていない。から複雑な数学的計算の形式的分解分析法Distinctingと検証実験,代替効率的方法が必要である。本研究では,熱と劣化効果を統合した新しい回路モデルを得られたが,これは実際の作業でのLDの特性を反映し,古典的な単一成分シミュレーションモデルの不十分さを克服した。活性領域欠陥成長および空洞表面酸化,二つの主な劣化モードは空洞表面Aの非放射再結合電流と吸収速度の発現の改善を通してこの新しい回路モデルで定量的に記述した。モデルは回路シミュレータPSpiceで実行され,LD特性試験実験プラットフォームで検証し,重要なパラメータは実験データの非線形最小二乗当てはめ法によって同定された。シミュレーションと実験結果は,モデルはLDの分解特性を説明できる,I-P曲線のしきい値Ithと斜面K,パラメータは活性領域と空洞表面劣化を同定するために使用できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  シミュレーションモデル ,  *半導体レーザ ,  最小二乗法 ,  活性部位 ,  吸収速度 ,  回路モデル
準シソーラス用語： 表面劣化 ,  回路シミュレータ ,  非放射再結合 ,  表面酸化 ,  検証実験 ,  劣化機構 ,  レーザ通信 ,  *PSpice , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： PSpice ,  モデル ,  レーザダイオード ,  解析