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J-GLOBAL ID：201702228539856877   整理番号：17A0549803

BaSi₂pnホモ接合太陽電池作製に向けた表面電極/Sb-doped n-BaSi₂間の接触抵抗低減

著者 (5件)： 小玉小桃 (筑波大) ,  高部涼太 (筑波大) ,  谷内卓 (筑波大) ,  都甲薫 (筑波大) ,  末益崇 (筑波大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-B5-10  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *バリウム化合物 ,  *半導体接合 ,  *太陽電池 ,  *接触抵抗 ,  アンチモン添加合金
準シソーラス用語： ケイ化バリウム ,  ホモ接合

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホモ接合 ,  太陽電池 ,  作製 ,  表面電極 ,  Sb ,  接触抵抗