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J-GLOBAL ID：201702231154518644   整理番号：17A0417568

4F~2x点多層金属ナノドット構造に基づく15.8A永久ディジタルアーカイブシステム【Powered by NICT】

15.8 A permanent digital archive system based on 4F² x-point multi-layer metal nano-dot structure

著者 (5件)： Miura Noriyuki (Kobe University, Japan) ,  Liu Shijia (Kobe University, Japan) ,  Watanabe Tsuyoshi (Kobe University, Japan) ,  Imai Shigeki (Kobe University, Japan) ,  Nagata Makoto (Kobe University, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISSCC  ページ： 270-271  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4F~2永久ディジタルアーカイブシステムを提示した。データは相互接続のx点での金属ナノドットの存在によって節約される。受動ストレージノードは>100年耐久性永久メモリセルとして作用する。トランジスタを電池中で用いる,高密度の多層メモリスタックを可能にされていない。ナノドット存在に起因する相互静電容量変化はデータ検索のための感知される。0/ビットのバランス型符号化は長時間信頼性を向上させた。0.18μm CMOSプロトタイプを成功裏に加速時効(100年間に相当)後に動作する。28nm CMOSにおける6層メモリスタックは0.4Tb/inch~2容量を実現することができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 符号化 ,  耐久性 ,  時効 ,  *多層 ,  記憶素子 ,  静電容量 ,  プロトタイプ ,  トランジスタ ,  データ検索 ,  相互接続 ,  電池 ,  CMOS
準シソーラス用語： 高密度 ,  *ナノドット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  変復調回路  (NC05050F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多層 ,  ナノドット ,  永久 ,  ディジタルアーカイブ