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J-GLOBAL ID：201702231240316038   整理番号：17A0550611

PLDで成長したMn doped ZnO薄膜の残留ドナー濃度低減に関する検討

著者 (6件)： 金屋良輔 (大阪府大 工) ,  高田賢志 (大阪府大 工) ,  桐谷乃輔 (大阪府大 工) ,  吉村武 (大阪府大 工) ,  芦田淳 (大阪府大 工) ,  藤村紀文 (大阪府大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-P8-7  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： パルスレーザ蒸着 ,  *薄膜 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ドナー ,  不純物濃度 ,  磁性半導体 ,  マンガン ,  ドーピング ,  キャリア ,  *濃度 ,  原子間力顕微鏡 ,  酸化物半導体 ,  電荷キャリア ,  *残留濃度 ,  *ZnOフィルム
準シソーラス用語： PLD【蒸着】 ,  *ZnO薄膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： PLD ,  成長 ,  Mn ,  ZnO薄膜 ,  残留 ,  ドナー ,  濃度低減