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J-GLOBAL ID：201702231938742560   整理番号：17A0547720

c面サファイア基板上Ge(111)薄膜結晶性の熱処理による変化

著者 (6件)： 大武史康 (東北大 工) ,  河口大和 (東北大 大学院) ,  伊藤友樹 (東北大 大学院) ,  伊藤友樹 (日本学術振興会) ,  川島知之 (東北大 大学院) ,  鷲尾勝由 (東北大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14p-318-2  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 基板 ,  *ゲルマニウム ,  薄膜 ,  *熱処理 ,  *薄膜成長 ,  X線回折 ,  結晶度 ,  サファイア基板
準シソーラス用語： 結晶性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア基板 ,  Ge ,  薄膜 ,  結晶性 ,  熱処理