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J-GLOBAL ID：201702232069344082   整理番号：17A0475394

低温1cm~2V~ 1S~ 1を超える平衡正孔および電子移動度のためのポリマー/自己集合単分子層で修飾したInO_xハイブリッド構造に基づく溶液プロセスで作製する両極性電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

Low temperature, solution-processed ambipolar field-effect transistors based on polymer/self-assembled monolayer modified InO_x hybrid structures for balanced hole and electron mobilities exceeding 1 cm² V^-1 s^-1

著者 (9件)： Sun Sheng (State Key Laboratory of Luminescent Materials & Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Li Yuzhi (State Key Laboratory of Luminescent Materials & Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Lan Linfeng (State Key Laboratory of Luminescent Materials & Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Xiao Peng (State Key Laboratory of Luminescent Materials & Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Chen Zhenhui (State Key Laboratory of Luminescent Materials & Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Lin Zhenguo (State Key Laboratory of Luminescent Materials & Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Chen Junwu (State Key Laboratory of Luminescent Materials & Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Peng Junbiao (State Key Laboratory of Luminescent Materials & Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Cao Yong (State Key Laboratory of Luminescent Materials & Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 43  ページ： 162-166  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理有機-無機二層構造に基づいた両極性電界効果トランジスタ(FET)を調べた。,n型半導体層として,非晶質インジウム酸化物(InO_x)膜を環境に優しい方法で調製し,低温でアニールした;FBT Th_4(1,4),と低バンドギャップ(LBG)ドナー-アクセプタ(D A)共役高分子はp型半導体層としてInO_x膜上にスピンコートした。p型移動度を改善するために,オクタデシル-ホスホン酸の自己集合単分子層(SAM)をInO_xの表面を改質するために導入した。両極性FETは1.1~1.5cm~2V~ 1s~ 1の大容量とバランスのとれた正孔と電子の移動度を示した。さらには両極性FETは機能的相補型金属酸化物半導体(CMOS)インバータのようなに統合できることが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *複合構造 ,  *正孔 ,  バンドギャップ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *移動度 ,  ドナー ,  アクセプタ ,  *低温 ,  酸化インジウム
準シソーラス用語： 共役重合体 ,  二重層 ,  溶液処理 ,  *両極性 ,  *自己集合単分子膜 ,  *電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 両極性 ,  トランジスタ ,  溶液処理 ,  SAM ,  インバータ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (13件)： 低温 ,  平衡 ,  正孔 ,  電子移動度 ,  ポリマー ,  自己集合単分子層 ,  修飾 ,  ハイブリッド構造 ,  溶液 ,  プロセス ,  作製 ,  両極性 ,  電界効果トランジスタ