文献

J-GLOBAL ID：201702235869322230   整理番号：17A0318066

チャネル幅の起源はグラフェン電界効果トランジスタの電界効果移動度依存性【Powered by NICT】

Origin of the channel width dependent field effect mobility of graphene field effect transistors

著者 (9件)： Lee Young Gon (Center for Emerging Electronic Devices and Systems, School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-dong 1, Buk-gu, Gwangju 61005, Republic of Korea) ,  Lim Sung Kwan (Department of Nanobio Materials and Electronics, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-dong 1, Buk-gu, Gwangju 61005, Republic of Korea) ,  Kang Chang Goo (Advanced Radiation Detection Instrument and Sensor Laboratory, Korea Atomic Energy Research Institute, 29 Geumgu-Gil, Jeongeup-Si, Jeollabuk-Do 56212, Republic of Korea) ,  Kim Yun Ji (Center for Emerging Electronic Devices and Systems, School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-dong 1, Buk-gu, Gwangju 61005, Republic of Korea) ,  Choi Doo Hua (Division of Quantum Phases and Devices, Department of Physics, Konkuk University, 120 Neungdong-ro, Gwangjin-gu, Seoul 05029, Republic of Korea) ,  Chung Hyun-Jong (Division of Quantum Phases and Devices, Department of Physics, Konkuk University, 120 Neungdong-ro, Gwangjin-gu, Seoul 05029, Republic of Korea) ,  Choi Rino (School of Materials Science and Engineering, Inha University, 100 Inha-ro, Nam-gu, Incheon 22212, Republic of Korea) ,  Lee Byoung Hun (Center for Emerging Electronic Devices and Systems, School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-dong 1, Buk-gu, Gwangju 61005, Republic of Korea) ,  Lee Byoung Hun (Department of Nanobio Materials and Electronics, Gwangju Institute of Science and Technology, Oryong-dong 1, Buk-gu, Gwangju 61005, Republic of Korea)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 163  ページ： 55-59  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チャネル幅依存電界効果移動度の起源を説明するためのモデルを提案した。著者らのモデルは,グラフェンチャンネル内の不均一キャリア輸送の影響を説明する,広いチャネルグラフェンFETの電界効果移動度は二倍を過小評価し,フリンジ電界効果を考慮しなくてもした。このモデルに基づいて,著者らは,狭いチャネル幅デバイスの使用を含むグラフェンFETの電界効果移動度を抽出するためのより正確なプロトコルを提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電場効果 ,  *グラフェン ,  *チャネル ,  プロトコル ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： グラフェンFET ,  キャリア輸送 ,  *電界効果移動度 ,  *チャネル幅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： グラフェン電界効果トランジスタ ,  チャネル幅依存性 ,  不均一キャリア輸送

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： チャネル幅 ,  起源 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  電界効果移動度 ,  依存性