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J-GLOBAL ID：201702236423971685   整理番号：17A0803597

軟X線照射による高水素化ダイヤモンド様炭素薄膜の改質過程

Modification Processes for Highly Hydrogenated Diamond-Like Carbon Thin Films by Soft X-ray Irradiation

著者 (6件)： KANDA Kazuhiro (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  IMAI Ryo (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  NIIBE Masahito (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  YOSHIOKA Hisashi (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  KOMATSU Keishi (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  SAITOH Hidetoshi (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 29  号： 6 (2)  ページ： 817-826  発行年： 2017年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,軟X線領域におけるシンクロトロン放射(SR)曝露を用いた高水素化ダイヤモンド様炭素(H-DLC)膜の種々の膜性質と構造特性をSR照射量に対して調べた。膜体積と光学定数の注目すべき変化を観察し,H-DLC膜の局在構造の変化がSR曝露によることを示した。これらの変化は膜をエッチングしたときよりも速い膜からの水素の脱着に起因した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ダイヤモンド状炭素 ,  *薄膜 ,  *改質 ,  *X線照射 ,  *水素化 ,  軟X線 ,  構造特性 ,  シンクロトロン放射 ,  脱着 ,  水素 ,  薄膜成長 ,  XANES
準シソーラス用語： 照射量依存性 ,  炭素薄膜

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  X線技術  (BA02060D)

引用文献 (36件)：

• S. Aisenberg and S. Chabor: J. Appl. Phys. 42 (1971) 3963.
• J. Robertson: Surf. Coat. Technol. 50 (1992) 185.
• A. Grill: Diamond Relat. Mater. 8 (1999) 428.
• Y. Lifshitz: Diamond Relat. Mater. 8 (1999) 1659.
• J. Robertson: Mat. Sci. Eng. B 37 (2002) 129.

タイトルに関連する用語 (6件)： 軟X線 ,  水素化 ,  ダイヤモンド様炭素 ,  薄膜 ,  改質 ,  過程