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J-GLOBAL ID：201702236533998038   整理番号：17A0316965

薄い窒化チタンキャップ層を持つサブ-1nm等価酸化膜厚HK/MG nMOSFETに及ぼすチャネルホットキャリアストレスのための正確な寿命予測【Powered by NICT】

Accurate lifetime prediction for channel hot carrier stress on sub-1nm equivalent oxide thickness HK/MG nMOSFET with thin titanium nitride capping layer

著者 (14件)： Luo Weichun (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Yang Hong (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wang Wenwu (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Xu Yefeng (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Tang Bo (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Ren Shangqing (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Xu Hao (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wang Yanrong (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Qi Luwei (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Yan Jiang (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Zhu Huilong (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Zhao Chao (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Chen Dapeng (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Ye Tianchun (Key Laboratory of MicroElectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Mi-croElectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 62  ページ： 70-73  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ1nm等価酸化膜厚(EOT)high-κ/金属ゲートnMOSFETにおけるチャネルホットキャリア(CHC)劣化を本論文で研究した。劣化は,ストレス誘起ドレイン誘導障壁低下(DIBL)変動,すなわちより高い応力ドレイン電圧領域と低い応力ドレイン電圧領域に基づく二領域に分けることができることが分かった。分裂の原因は,ホットキャリアの異なる活性に起因していた。高電圧領域を除く寿命予測はより正確な方法であることを示した。添加では,低電圧領域における1.4nmのTiNと2.4nmのTiN厚さnMOSFETの劣化傾向の偏差が存在する。偏差をいろいろな厚さのTiNキャッピング層により誘起された異なる界面トラップ生成,電荷ポンピング実験によって証明されるに起因していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *寿命予測 ,  *ホットキャリア ,  *MOSFET ,  電圧 ,  界面トラップ ,  低電圧 ,  *等価酸化膜厚 ,  *窒化チタン ,  ドレイン誘起障壁低下効果
準シソーラス用語： チャージポンプ回路 ,  DIBL ,  メタルゲート ,  *nMOSFET ,  *キャップ層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ホットキャリア ,  MOSFET ,  TiN ,  界面トラップ ,  電荷ポンピング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒化チタン ,  キャップ層 ,  サブ ,  等価酸化膜厚 ,  Mg ,  nMOSFET ,  寿命予測