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J-GLOBAL ID：201702237524677427   整理番号：17A0214223

高集積Si量子ビットとしてのSOI上の結合量子ドット【Powered by NICT】

Coupled quantum dots on SOI as highly integrated Si qubits

著者 (4件)： Oda S. (Quantum Nanoelectronics Research Center and Department of Electrical Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Yamahata G. (Quantum Nanoelectronics Research Center and Department of Electrical Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Horibe K. (Quantum Nanoelectronics Research Center and Department of Electrical Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan) ,  Kodera T. (Quantum Nanoelectronics Research Center and Department of Electrical Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 13.3.1-13.3.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子計算は,より長いない将来技術。同位体濃縮Siキュービットにおける長いスピンデコヒーレンス時間の実証,量子アニーリングと超伝導素子に基づくD波計算機における最近の進歩は,この技術の研究開発を加速した。残された課題は量子ビットの大規模統合である。シリコン・オン・インシュレータ基板上に物理的に明確に結合した量子ドット(QD)は,潜在的な多重スケール量子ビットを表している。本研究では,制御ゲートと電荷センサ単一電子トランジスタと結合した量子ドットの作製,Pauliスピンブロッケードの観察と電子数が少ない系の制御だけでなく,三重量子ドットとpチャネル動作を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単一電子トランジスタ ,  同位体濃縮 ,  チャネル ,  焼なまし ,  *量子ドット ,  超伝導素子 ,  量子計算 ,  D波 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 三重量子ドット ,  スピンブロッケード ,  電荷センサ ,  マルチスケール ,  *結合量子ドット ,  *量子ビット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (9件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  ディジタル計算機ハードウェア一般  (JC04010C) ,  光デバイス一般  (BD06010L) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  量子光学一般  (BD04010X) ,  量子力学一般  (BA06010C) ,  論理回路  (NC05070B) ,  磁性一般  (BM06010M) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 集積 ,  Si ,  量子ビット ,  SOI ,  結合量子ドット