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J-GLOBAL ID：201702239509050719   整理番号：17A0079624

MgO/Cu₂O超格子:エピタキシャル二次元ナノ構造の成長

MgO/Cu2O Superlattices: Growth of Epitaxial Two-Dimensional Nanostructures

著者 (18件)： Yang M. J. (Department of Physics and Center of Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Wadekar P. V. (Department of Physics and Center of Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Hsieh W. C. (Department of Physics and Center of Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Huang H. C. (Department of Materials Science and Optoelectronics, and Center for Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Lin C. W. (Department of Physics and Center of Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Chou J. W. (Department of Physics and Center of Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Liao C. H. (Department of Physics, Military Academy, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Chang C. F. (Department of Physics and Center of Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Seo H. W. (Department of Physics, Jeju National University, Jeju-si, Korea) ,  You S. T. (Department of Physics and Center of Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Tu L. W. (Department of Physics and Center of Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Lo I. K. (Department of Physics and Center of Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Ho N. J. (Department of Materials Science and Optoelectronics, and Center for Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Yeh S. W. (Department of Mold and Die Engineering, National Kaohsiung University of Applied Science and Technology, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Liao H. H. (Enli Technology, Kaohsiung Science Park, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Chen Q. Y. (Department of Physics and Center of Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan, ROC) ,  Chen Q. Y. (Department of Physics, University of Houston, Houston, TX, USA) ,  Chu W. K. (Department of Physics, University of Houston, Houston, TX, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 12  ページ： 6285-6291  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異種層の交互スタッキングは,複数の機能性を有する新規な超格子材料を生み出すことができる。エピタキシャル超格子に関する文献で報告されているそのような研究の大部分は,同一の空間群(SG)および結晶構造(CS)を有する交互層上にあるのに対し,CSは同じでSGの異なる超格子はそれほど研究されていない。著者らは,2つのよく知られた酸化物材料,すなわち,赤銅鉱(Cu₂O,CS=立方晶,SG=Pn<span style=text-decoration:overline>3</span>m)と酸化マグネシウム(MgO,CS=立方晶,SG=Fm<span style=text-decoration:overline>3</span>m)により超格子を成長させた。膜-基板界面にて650°C付近で成長させたMgOバッファ層は,妥当な長距離原子配列を達成するために不可欠であることがわかった。微小角入射X線回折,X線反射率,電子回折分析ならびに透過型電子顕微鏡法を用いて,各層の界面急峻性,平滑性および一般的な結晶性を調べた。界面近傍のMgOとCu₂Oの間の相互拡散により,適度に鋭い界面を有する超格子の作製に適した成長温度は250°Cまでに制限される。Copyright 2016 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *超格子 ,  *酸化第一銅 ,  *酸化マグネシウム ,  多層膜 ,  *複合膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  エピタクシー ,  相互拡散 ,  温度 ,  配列
準シソーラス用語： 原子配列 ,  *交互積層膜 ,  成長温度

著者キーワード (6件)： Thin films ,  sputtering ,  superlattices ,  MgO/Cu2O ,  TEM ,  epitaxy

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： MgO ,  Cu2O ,  超格子 ,  エピタキシャル ,  ナノ構造 ,  成長