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J-GLOBAL ID：201702239624904132   整理番号：17A0547935

ヘテロ成長により作製したSi基板上III-V-N太陽電池構造のエピタキシャルリフトオフ

著者 (6件)： 山根啓輔 (豊橋技科大 大学院) ,  佐藤健人 (豊橋技科大 大学院) ,  関口寛人 (豊橋技科大 大学院) ,  岡田浩 (豊橋技科大 EIIRIS) ,  岡田浩 (豊橋技科大 大学院) ,  若原昭浩 (豊橋技科大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14p-B6-14  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *層間剥離 ,  *太陽電池 ,  *エピタクシー ,  ヘテロ接合 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  化合物半導体 ,  窒化物 ,  透過型電子顕微鏡 ,  格子整合 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Si基板

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 成長 ,  作製 ,  Si基板 ,  太陽電池 ,  エピタキシャルリフトオフ