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J-GLOBAL ID：201702240104334846   整理番号：17A0756784

サブミクロン金粒子のドライ充填プロセスを用いたバンプとを経たガラス相互接続の同時製作【Powered by NICT】

Simultaneous fabrication of a through-glass interconnect via and bumps using dry filling process of submicron gold particles

著者 (5件)： Nomura Kazuya (Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Okada Akiko (Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Shoji Shuichi (Waseda University, 3-4-1 Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Ogashiwa Toshinori (Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K., 2-73 Shinmachi, Hiratsuka, Kanagawa 254-0076, Japan) ,  Mizuno Jun (Research Organization for Nano and Life Innovation, Waseda University, 513 Waseda Tsurumaki-cho, Shinjuku, Tokyo 162-0041, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IMPACT  ページ： 270-272  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブミクロン金粒子のドライ充填プロセスを用いた(TGV)およびAuバンプ貫通ビアガラス相互接続の同時製造のための技術を提案した。最初に,フォトリソグラフィーによる正孔によりガラス上に作製したドライフィルムレジストホール。次に,サブミクロンAu粒子はガラスとレジストホール,及び焼結の両方に充填した。I構造TGVとして二Auバンプ間にサンドイッチされたTGVを定義した。断面SEM画像は,提案I構造TGVは有意なボイドなしで作製することに成功したことを示した。さらに,Au粒子は,焼結中の収縮がAu薄膜とAuバンプで覆われたガラス基板は,密封した。デイジーチェーンを用いた四プローブ法は単一I構造TGVの抵抗は0.11Ωであったことを明らかにした。これらの結果は,提案した作製法は,ガラスインターポーザまたはガラスICチップの種々の応用に非常に有用であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *相互接続 ,  フォトリソグラフィー ,  *バンプ ,  プローブ ,  正孔 ,  *金 ,  *ガラス ,  焼結
準シソーラス用語： ICチップ ,  ガラス基板 ,  SEM画像 ,  *金粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： サブ ,  金粒子 ,  プロセス ,  バンプ ,  ガラス ,  相互接続 ,  製作