ZnO上のH/Ar処理の影響:柔軟なa-SiのB透明導電性酸化物:H:H/μc-Si湿気熱ストレス下のH太陽電池モジュール【Powered by NICT】

Jeong Jae-Seong; Jeong Jae-Seong; Kim Yong-Huyn; Park Chang-Kyun; Kim Heon-Do; Choi Joongho

文献

J-GLOBAL ID：201702240382649508 整理番号：17A0362532

ZnO上のH/Ar処理の影響:柔軟なa-SiのB透明導電性酸化物:H:H/μc-Si湿気熱ストレス下のH太陽電池モジュール【Powered by NICT】

Effect of H/Ar treatment on ZnO:B transparent conducting oxide for flexible a-Si:H/μc-Si:H photovoltaic modules under damp heat stress

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A0362532&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0362532&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0530A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 64 ページ： 640-645 発行年： 2016年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

フレキシブル非晶質/微結晶Si:H(a Si:H/μc Si:H)タンデム接合太陽電池(PV)モジュールは,有機金属化学蒸着(MOCVD)により成長させたZnO:B薄膜を透明導電性酸化物(TCO)として作製した。ZnO:BのHall移動度は,熱湿気により分解され,85%相対湿度で85°Cの条件を用いてシミュレートされる。これはPVモジュールの直列抵抗と効率に影響する。本研究では,ZnO:BをH/Arプラズマで処理した熱湿気下で経験した劣化を低減することであった。,電池は, 20%の効率損失に達するために必要な時間として定義されるZnO:BのHall移動度の劣化時間はH/Ar処理(ZnO:B H/Ar)により~54%向上した。この改善の背後にある機構は,水分にZnO:BとZnO:B H/Ar薄膜の反応を評価することにより調べた。ZnO:BとZnO:B H/Arの物理的および化学的性質の関連変化をX線光電子分光法,二次イオン質量分光,および紫外光電子分光法により分析した。分析はOH~ の濃度が高いZn~2+およびB~3+のそれは湿度に曝露した後のZnO:B表面の結晶粒界における低いことを示した。H/Ar処理後,ZnO:B中のOH~ 濃度の増加は減少し,Zn~2+およびB~3+濃度の減少ははるかに小さかった。ZnO:BのH/Arプラズマ処理はZn(OH)~2を形成する表面反応に影響し,高温高湿下での結晶粒界でのOH~およびZn~2+イオンであった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

, , , , , , , , , , , , ,
, 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： , , , ,

固体デバイス計測・試験・信頼性 , トランジスタ , 固体デバイス材料

, , , , , ,

前のページに戻る