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J-GLOBAL ID：201702241320568345   整理番号：17A0318074

高電圧感受性のsSi/Si_0.5Ge_0 5/sSOI量子井戸を持ったイオンに敏感な電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

Ion-sensitive field-effect transistor with sSi/Si_0.5Ge_0.5/sSOI quantum-well for high voltage sensitivity

著者 (14件)： Wen Jiao (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Wen Jiao (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Liu Qiang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Liu Qiang (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Liu Chang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Wang Yize (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Zhang Bo (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Xue Zhongying (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Di Zengfeng (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Min Jiahua (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Yu Wenjie (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Liu Xinke (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Wang Xi (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Zhao Qing-Tai (Peter Gruenberg Institute 9, JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, Juelich 52425, Germany)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 163  ページ： 115-118  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 改善された検出電流と電圧感度をもつイオン敏感電界効果トランジスタ(ISFET)はバックゲートを持つセンシング膜結合としてsSi/Si_0.5Ge_0/sSOI量子井戸(QW)ヘテロ構造とAl_2O_3誘電体層を用いて実現した。電圧感度は標準SOI ISFETよりもはるかに高く,典型的SiGe量子井戸中に閉込められた高い正孔移動度に起因する低ドレイン電流を示した。99.89%の線形性を持つ高電圧感度360mV/pHはQW ISFETで達成された。平面QW ISFETの結果は低コスト,単純化したプロセスによるバイオ化学の実時間モニタリングのための大きな可能性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *電圧 ,  簡素化 ,  イオン ,  ISFET ,  生化学 ,  *FET【トランジスタ】 ,  線形性 ,  電流
準シソーラス用語： 実時間 ,  ドレイン電流 ,  正孔移動度 ,  シリコンゲルマニウム ,  ヘテロ構造 ,  バックゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SiGe ,  量子井戸 ,  イオン感応性電界効果トランジスタ ,  電圧感度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高電圧 ,  感受性 ,  SSI ,  量子井戸 ,  イオン ,  電界効果トランジスタ