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J-GLOBAL ID:201702241379512973   整理番号:17A0884446

ニッケルモノシリサイドの窒素増強された熱安定性【Powered by NICT】

Nitrogen enhanced thermal stability of nickel monosilicide
著者 (3件):
資料名:
巻: 214  号:ページ: ROMBUNNO.201600710  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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NiSiの熱安定性に及ぼす急速熱処理中のアニーリング雰囲気の影響を調べた。Si(100)に蒸着したニッケル膜は40Torrまでの圧力で真空,ArおよびN_2中でアニールした。750°Cで真空中またはAr中で急速熱アニーリングを,シート抵抗と表面粗さの同時増加を伴ってNiSi_2が形成された。N_2中でのアニーリングはNiSi_2核形成温度,NiSiの熱安定性を増加させた。N_2圧力が高いほど,NiSi_2核形成を開始するのに必要なアニーリング温度であった。実験結果は簡単な熱力学モデルを用いて解析した。化学ポテンシャルを低下させる溶存窒素不純物を示唆し,NiSi相の熱安定性を増大させる。実験的に観察された相安定性はモデルで予測した値と一致した。急速熱アニーリング中のニッケルモノシリサイドの安定化のために存在するしきい値窒素圧。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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半導体の格子欠陥  ,  加熱  ,  半導体の表面構造 
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