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J-GLOBAL ID：201702242176808073   整理番号：17A0403127

N_2~+を注入した非晶質Si基板上の界面反応と周期的Niナノドット配列の微細構造進化【Powered by NICT】

Interfacial reactions and microstructural evolution of periodic Ni nanodot arrays on N₂ ⁺-implanted amorphous Si substrates

著者 (5件)： Cheng S.L. (Department of Chemical and Materials Engineering, National Central University, Chung-Li District, Taoyuan City, Taiwan, ROC) ,  Cheng S.L. (Institute of Materials Science and Engineering, National Central University, Chung-Li District, Taoyuan City, Taiwan, ROC) ,  Lai R.H. (Department of Chemical and Materials Engineering, National Central University, Chung-Li District, Taoyuan City, Taiwan, ROC) ,  Huang Y.D. (Department of Chemical and Materials Engineering, National Central University, Chung-Li District, Taoyuan City, Taiwan, ROC) ,  Lin H.C. (Department of Chemical and Materials Engineering, National Central University, Chung-Li District, Taoyuan City, Taiwan, ROC)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 399  ページ： 313-321  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面反応の系統的研究と異なるアニーリング条件下でN_2~+をイオン注入した非晶質Si(a Si)基板上のナノスケールNi金属ドットの微細構造変化の結果について報告した。アニーリングの間に,Ni_2Siを形成する第一段階,続いてNiSiおよびNiSi_2であった。形成された三Niシリサイド相は多結晶とアニールしたナノドットの平均サイズはアニーリング温度と共に増加し,500°Cまでに観察された。アニーリング温度/時間のさらなる増加後,NiSi_2粒は徐々にa-Si領域,顕著なNiSi_2ナノリング構造の形成をもたらしたがそれらの元のナノドット位置から外側へ移動したことに注目することは興味深い。NiSi_2ナノリングの内部領域は単結晶Si相で構成されることが見出され,NiSi_2ナノドットの横方向移動によるN_2~+を注入したa-Siのエピタキシャル結晶化の仲介を示した。,Ni nanodot/N_2~+を注入したa-Si:H試料中の非晶質Si層の完全な再結晶に必要なアニーリング温度が550°C,ブランクN_2~+を注入したa-Si試料を必要としたものよりも200°C低いまで著しく減少出来た。はこれらの注目すべきNiSi_2ナノリング構造の形成とNiSi_2ナノドットの存在下でN_2~+を注入したa-Si再結晶の増強したシリサイド誘起結晶化機構によることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多結晶 ,  焼なまし ,  単結晶 ,  再結晶 ,  イオン注入 ,  *ケイ素 ,  環状構造 ,  ケイ化物 ,  *ニッケル ,  *アモルファスシリコン
準シソーラス用語： ナノリング ,  アニーリング温度 ,  ナノスケール ,  *ナノドット ,  *界面反応 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノ球リソグラフィー ,  N_2~+注入 ,  非晶質Si ,  Niシリサイド ,  ナノリング

分類 (4件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 注入 ,  非晶質 ,  Si基板 ,  界面反応 ,  Ni ,  ナノドット ,  微細構造進化