文献

J-GLOBAL ID：201702242727574684   整理番号：17A0795080

その場蒸着前プラズマ窒化とLPCVD-Si3N4ゲート絶縁体を有する超低V_thヒステリシスと電流コラプスのAlGaN/GaN MIS-HEMT【Powered by NICT】

AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low ${V}_{¥sf {{th}}}$ Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator

著者 (17件)： Zhang Zhili (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Li Weiyi (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Fu Kai (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Yu Guohao (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Zhang Xiaodong (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Zhao Yanfei (Nano-X, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Sun Shichuang (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Song Liang (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Deng Xuguang (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Xing Zheng (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Yang Lei (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Ji Rongkun (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Zeng Chunhong (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Fan Yaming (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Dong Zhihua (School of Electronics and Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China) ,  Cai Yong (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Zhang Bao Shun (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 2  ページ： 236-239  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本短報において,筆者らはその場蒸着前プラズマ窒化プロセス,GaN表面酸素結合を除去し,低圧化学蒸着(LPCVD)-Si_3N_4堆積の前にGa-N結合を形成することにより,表面ダングリングボンドを低減するために採用されているを報告した。デバイスのV_thヒステリシスと電流崩壊は高品質のLPCVD Si_3N_4/GaN界面に起因する劇的に改善されたことを示した。このその場蒸着前プラズマ窒化を用いたMIS-HEMTは,基板を接地しV_G掃引=( 30 V, +24 V),881Vの高い絶縁破壊電圧で186mVの超低V_thヒステリシスを示した。一方,MIS-HEMT動的R_ONは600Vのオフ状態V_DS応力(ONスイッチング時間間隔にオフは200~μsに設定した)後の静的R_ONよりわずか18%大きかった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  *HEMT ,  ダングリングボンド ,  *ゲート絶縁膜 ,  *蒸着 ,  *電流 ,  *ヒステリシス ,  スイッチング ,  *窒化ガリウム ,  *イオン窒化 ,  *LPCVD
準シソーラス用語： オフ状態 ,  絶縁破壊電圧 ,  *AlGaN/GaN ,  *電流コラプス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： 蒸着 ,  プラズマ窒化 ,  LPCVD ,  Si3N4 ,  ゲート絶縁体 ,  ヒステリシス ,  電流コラプス ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  HEMT