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J-GLOBAL ID:201702245915570408   整理番号:17A0376561

紫外光電子放出と逆光電子放出分光法により研究した安定なn型半導体分子複合体(diC_8BTBT)(TCNQ)の電子構造【Powered by NICT】

Electronic structure of stable n-type semiconducting molecular complex (diC8-BTBT)(TCNQ) studied by ultraviolet photoemission and inverse photoemission spectroscopy
著者 (8件):
資料名:
巻: 39  ページ: 184-190  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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(diC_8BTBT)(TCNQ),2,7 ジアルキル[1]ベンゾチエノ[3,2 b][1] ベンゾチオフェン(diC_8BTBT)電子供与体とテトラシアノキノジメタン(TCNQ)電子アクセプタから成る半導体混合積層電荷移動(CT)錯体の電子構造を紫外光電子放出分光法と逆光電子放出分光法により研究した。成分と比較して,(diC_8BTBT)(TCNQ)錯体で観測されたフロンティア電子状態は分子間ドナー-アクセプタCT相互作用による電子状態の再構成に起因することを大きな安定化を示した。錯体のフロンティア電子状態は,個々の成分分子のものから形成されるかを議論し,チャネル半導体として用いた場合に材料を示す空気中で安定なn型有機電界効果トランジスタ特性の起源を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (5件):
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発光素子  ,  電子分光スペクトル  ,  有機化合物の薄膜  ,  表面の電子構造  ,  有機化合物の電気伝導 

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