文献

J-GLOBAL ID：201702247096714008   整理番号：17A0214293

新しいエピタキシャルリフトオフ(ELO)とドナーウエハ再利用によるモノリシック3DのためのSi上のIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As上の絶縁体の費用効果的製造【Powered by NICT】

Cost-effective fabrication of In_0.53Ga_0.47As-on-insulator on Si for monolithic 3D via novel epitaxial lift-off (ELO) and donor wafer re-use

著者 (14件)： Kim Seong Kwang (Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Shim Jaephil (Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Geum Dae-Myeong (Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Kim Chang Zoo (Korea Advanced NanoFab Center (KANC), Korea) ,  Kim Han-Sung (Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Kim Yeon-Su (Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Kang Hang-Kyu (Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Song Jin Dong (Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Choi Sung-Jin (Kookmin University) ,  Kim Dae Hwan (Kookmin University) ,  Choi Won Jun (Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Kim Hyung-jun (Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea) ,  Kim Dong Myong (Kookmin University) ,  Kim Sang Hyeon (Korea Institute of Science and Technology (KIST), Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 25.4.1-25.4.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 費用対効果と低温プロセスによる欠陥の少ない絶縁体上半導体( OI)は,モノリシック3D(M3D)統合のための必要がある。に向けて,本論文では,直接ウエハボンディング(DWB)とエピタキシャルリフトオフ(ELO)技術を特徴とするInGaAs-OI構造の費用効果のある作製と同様にInPドナーウエハの再利用を示した。を系統的に迅速かつハイスループットプロセス,コストダウンに必須である用ELOプロセスを高速化するために前DWB,表面改質(親水性),及び電気化学的エッチングIII-V層の前パターン形成の影響を調べた。もInPドナーウエハの再使用性を示した。最後に,DWBとELOを組み合わせたInGaAsチャネルの高い膜品質の結果として,作製したInGaAs-OI MOSFETはこれまで報告された表面チャネルIno In0.53Gao Ga0.47As MOSFET間の~2800cm~/Vsの記録的有効移動度を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOSFET ,  表面改質 ,  パターン形成 ,  リン化インジウム ,  *三次元 ,  移動度 ,  親水性 ,  原価低減 ,  *絶縁材料 ,  高速化 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *再利用 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： ウエハボンディング ,  低温プロセス ,  *費用対効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： エピタキシャルリフトオフ ,  ドナー ,  ウエハ ,  再利用 ,  3D ,  Si ,  絶縁体 ,  費用効果