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J-GLOBAL ID：201702247893505350   整理番号：17A0400502

誘電体帯電はマイクロデバイス信頼性レビューにおけるドリフトを誘導した【Powered by NICT】

Dielectric charging induced drift in micro device reliability-a review

著者 (5件)： Zhou Wu (School of Mechatronics Engineering, University of Electronic Technology and Science of China, Chengdu 611731, China) ,  He Jiangbo (School of Mechanical Engineering, University of Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China) ,  He Xiaoping (Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, China) ,  Yu Huijun (School of Mechatronics Engineering, University of Electronic Technology and Science of China, Chengdu 611731, China) ,  Peng Bei (School of Mechatronics Engineering, University of Electronic Technology and Science of China, Chengdu 611731, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 66  ページ： 1-9  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ケイ素とガラス,酸化ケイ素のような誘電材料中の電荷の移動または移動は,センシングと駆動のための静電容量法を利用したMEMSデバイスのドリフト不安定性の最も重要な原因の一つとして認識されている。三マイクロ容量デバイス,マイクロスイッチ,マイクロ共振器とマイクロミラーのドリフト現象の特性に関する最近の研究をレビューした。分極,イオン注入と電荷移動を含む誘電体帯電型は帯電効果を性能のドリフトを生じ,マイクロシステムの信頼性にどのように影響するかの過程と機構を説明するために詳細に提示されているし,またドリフト問題を克服するために対応する解は誘電体帯電を引き起こすのに必要な必須条件に基づいて提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 静電容量 ,  *帯電 ,  微小共振器 ,  イオン注入 ,  MEMS ,  *信頼性 ,  電荷移動 ,  ドリフト不安定性 ,  *ドリフト ,  誘電材料 ,  *誘電体 ,  マイクロスイッチ ,  窒化ケイ素 ,  マイクロミラー
準シソーラス用語： *マイクロデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MEMS ,  誘電体帯電 ,  信頼性 ,  マイクロデバイス

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 誘電体 ,  帯電 ,  マイクロデバイス ,  レビュー ,  ドリフト ,  誘導