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J-GLOBAL ID：201702250151602715   整理番号：17A0834000

ヘテロ構造エレクトロルミネセンスデバイスにおけるペロブスカイトSrTiO_3薄膜の表面形態と誘電挙動【Powered by NICT】

Surface morphology and dielectric behavior of perovskite SrTiO₃ thin film in heterostructure electroluminescence devices

著者 (4件)： Takashima Hiroshi (Electronics and Photonics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Cho Myunghee (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan) ,  Taniyama Tomoyasu (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan) ,  Itoh Mitsuru (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 5  ページ： 657-660  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルSrTiO_3薄膜をパルスレーザ蒸着(PLD)により1%NbドープSrTiO_3(001)基板上に成長させた。1050°Cでのポストアニール処理は,成長したままの膜の粒子状表面形態を変化させる明確なステップ-テラス構造まで下がった。原子的に平滑な表面はステップ高さ約0.4nmの,SrTiO_3(a=0.3905 nm)の一単位胞に相当すると得られた。三百二Kでの誘電定数ε_rは100kHzにおいて120と520であることが分かった。三百二Kで誘電損失は100kHzで2.0×10~ 5および1.2×10~ 5であった。誘電特性の温度依存性を抑制した量子常誘電性を示した。絶縁層として使用した原子的に平滑な表面を持つポストアニール膜は薄膜エレクトロルミネセンス(TFEL)ヘテロ構造デバイスの高性能に寄与している。異なる材料の理想的な界面の調製ヘテロ構造電子デバイスの開発に役立つ可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電率 ,  誘電損失 ,  エピタクシー ,  誘電性 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *薄膜 ,  温度依存性 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 絶縁層 ,  常誘電性 ,  単位格子 ,  ポストアニーリング ,  *表面形態 ,  *EL素子 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ヘテロ構造 ,  表面形態 ,  SrTiO_3薄膜 ,  Dielectrics ,  量子常誘電性 ,  薄膜エレクトロルミネセンス

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： ヘテロ構造 ,  エレクトロルミネセンスデバイス ,  ペロブスカイト ,  薄膜 ,  表面形態 ,  挙動