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J-GLOBAL ID：201702251977437313   整理番号：17A0362444

導電性A FMを用いたHfO_2RRAMにおける量子コンダクタンス,読出し妨害とスイッチング統計の解析【Powered by NICT】

Analysis of quantum conductance, read disturb and switching statistics in HfO₂ RRAM using conductive AFM

著者 (7件)： Ranjan A. (Engineering Product Development Pillar, Singapore University of Technology and Design (SUTD), 487 372, Singapore) ,  Ranjan A. (Institute of Materials Research and Engineering (IMRE), A*STAR, 2 Fusionopolis Way, 138 634, Singapore) ,  Raghavan N. (Engineering Product Development Pillar, Singapore University of Technology and Design (SUTD), 487 372, Singapore) ,  Molina J. (Electronics Department, National Institute of Astrophysics, Optics and Electronics (NIAOE), 72840, Mexico) ,  O’Shea S.J. (Institute of Materials Research and Engineering (IMRE), A*STAR, 2 Fusionopolis Way, 138 634, Singapore) ,  Shubhakar K. (Engineering Product Development Pillar, Singapore University of Technology and Design (SUTD), 487 372, Singapore) ,  Pey K.L. (Engineering Product Development Pillar, Singapore University of Technology and Design (SUTD), 487 372, Singapore)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 172-178  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗スイッチングに関する大部分の研究は,標準的電気特性評価装置,効果的な自動化信頼性試験とRRAM素子の寿命の広範な特性化を可能にするとデバイスレベルで行った。しかし,複数の可逆的破壊および回復サイクル中のフィラメントのバイアス依存速度論的挙動への洞察を改善するために,ナノスケールでスイッチング現象を調べるためにできることも重要である。本研究は,周囲条件で約10~20nmの面分解能で超鋭利な細線から導電性原子間力顕微鏡(CAFM)チップを用いたW底部電極をもつHfO_2ブランケット膜(4nm)を探査することによってこれを行うにすることを目的とした。可能な多重フィラメンテーションイベント(デバイスレベルで一般的な)はこのような小さなプローブ領域の稀なとしてCAFMの使用は,単一フィラメント発生挙動のより信頼できる評価を可能にした。酸素空孔誘起フィラメントの役割は低いコンプライアンス設定と中程度の電圧レベルを用いてここで研究した,サブ量子コンダクタンス領域での運転を確実にする。結果は,良好な再現性のあるスイッチング特性を示し,また,酸素空格子点に基づいたフィラメントにおける量子コンダクタンス現象に関する洞察を提供する。スイッチングにおける読出し攪乱傾向は,高抵抗状態(HRS)について研究して,成形寿命に及ぼすチップ誘起機械的応力の影響も提案したが,これはチップ(SoC)応用に関するフレキシブルエレクトロニクスデバイスとシステムのための不揮発性メモリ(NVM)信頼性に関する更なる研究のための動機づけとして役立つであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  フィラメント ,  不揮発性メモリ ,  分解能 ,  バイアス ,  *スイッチング ,  細線 ,  信頼性試験 ,  *導電性 ,  再現性
準シソーラス用語： 導電性原子間力顕微鏡 ,  ナノスケール ,  *ReRAM ,  抵抗スイッチング ,  *量子コンダクタンス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： クラスタリングモデル ,  導電性A FM ,  HfO_2 ,  読取妨害 ,  抵抗スイッチング ,  サブ量子コンダクタンス

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 導電性 ,  Fm ,  量子コンダクタンス ,  読出し ,  妨害 ,  スイッチング ,  統計 ,  解析